檢索結果:共13筆資料 檢索策略: "none".ccommittee (精準) and cadvisor.raw="劉政光"
個人化服務 :
排序:
每頁筆數:
已勾選0筆資料
1
低頻雜訊對GaAs MESFET 的影響很大。如限制元件在寬帶低頻放大的應用;由於低頻 雜訊在非線性方面(振蕩器,混合器),會向上轉換成多余的微波雜訊,所以也限制 了非線性方面的應用;由於最小解…
2
金氧半場效電晶體,因其高輸入阻抗,體積小,及較成熟的制程,已成極為重要的元 件,而輻射的效應,對輻射環境的元件,為一重要的課題。 金氧半場效電晶體受伽瑪輻射照射后,明顯影響平帶電壓V 向負方向增…
3
none
4
5
6
7
8
9
10